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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對(duì)ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢(xún)電話(huà)與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系，謝謝！

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